Caractéristiques:

- Transistors npn haute tension IGBT GT15J101 de Toshiba

- Haute tension : 600 V (Vce) 

- Courant collecteur : 15 A (30 A sur pulses de 1 mS)

- Puissance admissible : 100 W

- Tension de saturation à 15 A : 3 V

- Turn-on time: 400 nS

- Turn-off time: 500 nS

- Documentation complète sur : http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/toshiba/1522.pdf

Composition:

- Lot de 2 transistors npn haute tension IGBT GT15J101 de Toshiba

- 2 kits d'isolation pour montage sur radiateur

Utilisation :

- Transistors conçus sur une technologie mixte effet de champ et bipolaire permettant d'obtenir des caractéristiques exceptionnelles en gain, impédance d' entrée très élevée, vitesse de commutation ultra-rapide

Composants utilisés, entre autres, dans les oscillateurs et alimentations de puissance, chauffages et fours à induction.