Caractéristiques :

- Transistors haute tension mosfet ultra-rapide STB12NM60N - ST microelectronique

- MOSFET, N-CH, 600V, 10A, 0,35 Ohm, D2PAK
- Rise time : 9 nS , Fall time 10 nS

Composition :

- Un lot de 2 transistors

- Composants livrés sous emballage antistatique