Caractéristiques :

 

- Transistors de puissance npn rapides, haute tension, BU508DF

- Vceo : 700 V

- Vcex : 1 500 V

- Ic : 5 / 8 A

- Pd : 125 W

- Ft : 4 MHz

- Rise time : 7 µS

- Fall time : 1 µS

- Boitier isolé : TO-247

- Marque: Philips

 

Composition :

- Lot de 6 transistors