Lot de 2 Transistors 60N100 IGBT Haute Puissance 1 000 V - 60 A

Caractéristiques :

- Transistor npn haute tension IGBT FGL60N100BNTD de Fairchild

- Haute tension : 1 000 V (Vce) 

- Courant collecteur : 60 A (200 A crête)

- Puissance admissible : 180 W

- Tension de saturation à 60 A : 2,5 V

- Turn-on time: 140 nS

- Turn-off time: 630 nS

- Documentation complète sur : http://www.fairchildsemi.com/ds/FG%2FFGL60N100BNTD.pdf

Composition:

- Lot de 2 transistors npn haute tension IGBT FGL60N100BNTD de Fairchild

- Kits d'isolation en oxyde de béryllium pour montage sur radiateur

Utilisation :

- Transistors conçus sur une technologie mixte effet de champ et bipolaire permettant d'obtenir des caractéristiques exceptionnelles en gain, impédance d'entrée très élevée, vitesse de commutation ultra-rapide

- Composants utilisés, entre autres, dans les oscillateurs et alimentations de puissance, chauffages et fours à induction